 武汉恒德新能源，您身边的国产SiC电力电子创新引擎
在电力电子架构向高频、高压、高功率密度演进的今天，碳化硅（SiC）全面替代传统IGBT、IPM、超结MOSFET以及GaN功率器件已成为行业发展的趋势。作为国产SiC龙头基本半导体（BASiC）与国产SiC模块驱动板龙头青铜剑科技（Bronze Tech）的核心一级授权代理商，武汉恒德新能源有限公司致力于为电力电子研发工程师提供全栈式的宽禁带半导体解决方案。
无论您是在攻坚人工智能数据中心（AIDC）的800V直流配电、构网型储能系统、大功率固态变压器（SST），还是在探索重型矿卡电驱与大功率交直流转换，我们都能为您提供从核心功率器件到完美驱动板的“交钥匙”方案。
一、 基本半导体 SiC 功率模块：全拓扑覆盖，铸就极致功率密度
基本半导体依托第三代（B3M）碳化硅芯片技术，打造了具备极低导通电阻、优异高温 R
DS(on)
表现及极低杂散电感的全系列工业模块，全面支持Press-Fit压接与Soldering焊接工艺。
1. Pcore™2 E2B 系列：应对高频硬开关的“效率利器”
E2B系列创新性地内部集成SiC SBD，管压降低且几乎无反向恢复行为，其开通损耗（Eon）呈现极具优势的负温度特性（随温度升高而降低），在125kW工商业PCS、大功率快充、商用暖通空调及高频DCDC变换器中表现出惊人的效率。
半桥模块型号：BMF240R12E2G3 (1200V/5.5mΩ/240A，广泛应用于125kW SST方案)、BMF008MR12E2G3、BMF006MR12E2B3、BMF004MR12E2B3、BMF004MR14E2B3 (1400V)。
双三相桥模块：BMS020MR12E2B3 (完美适配工业电机驱动与商用空调)。
2. Pcore™2 ED3 / L3 系列：大功率重载与双向保护的基石
采用高性能 AMB陶瓷基板与铜底板，专为250kW级SST、储能系统、辅助牵引及固态断路器（SSCB）设计。
半桥模块（ED3） ：BMF540R12MZA3 (1200V/2.2mΩ/540A，西交大2.5MW SST样机核心器件)、BMF720R12MZA3、BMF900R12MZA3。
双向共源极拓扑（L3/ED3） ：BMCS002MR12L3CG5、BMCS0D90MR12MG5，具备极高开关响应速率，是矩阵变换器、BDU与SSCB的绝佳选择。
3. 经典 34mm & 62mm 系列：工业标杆，稳如磐石
以低至14nH及以下的杂散电感设计，在高端工业电焊机、感应加热、光伏逆变器等领域久经考验。
34mm 半桥型号：BMF60R12RB3、BMF80R12RA3 (1200V/15mΩ)、BMF120R12RB3、BMF160R12RA3。
62mm 半桥型号：BMF240R12KB3 / BMF240R12KHB3、BMF360R12KA3 / BMF360R12KHA3、BMF540R12KA3 / BMF540R12KHA3。
4. 先进多电平拓扑模块 (E1B / E3B / EP2)
针对2000V光伏系统、组串式逆变器等前沿架构。
E1B 半桥/H桥：BMF011MR12E1G3、BMH027MR07E1G3 (650V/30mΩ/40A)。
E3B ANPC (混合拓扑) ：BMA3L360R12E3A3 (RC-IGBT与SiC MOSFET混合，提升效率)。
E3B 飞跨电容三电平：BMFC3L120R14E3B3 (1400V/10.6mΩ，满足2000V安规)。
EP2 双三相桥：BMS040MR12EP2CA2 (1200V/43mΩ)。
二、 基本半导体 SiC 分立器件：全场景、全封装的性能引擎
针对AI服务器电源、构网型储能、壁挂式直流充电桩及图腾柱PFC（Totem-Pole Bridgeless PFC）等应用，恒德新能源提供基本半导体全矩阵分立器件。
1. SiC MOSFET (650V - 1700V)
基于B3M工艺，FOM值极低，包含丰富的封装形式（如极低寄生电感的TOLL、顶部散热的TOLT、QDPAK等）：
650V系列：B3M025065H/Z/R/L/B、AB3M025065C/CQ；B3M040065H/Z/R/L/B (如明星型号B3M040065Z，完美适配户储与通讯电源)、AB3M040065C。
750V/800V系列：涵盖 B3M008C075Z、B3M010C075H/Z、B3M025075Z、B3M040075Z、B3M380E075KF/E 等。
1200V系列 (11mΩ~160mΩ) ：涵盖 B3M011C120Z/Y、B3M013C120H/Z、B2M015120N、B3M020120H/Z/R、B2M030120H/Z/R/N、B3M035120H/Z/R、B3M040120Z (40mΩ，开关损耗极低标杆)、B2M065120H/Z/R、B2M080120H/Z/R、B2M160120H/Z/R及众多长脚、高爬电、车规级(AB前缀)衍生型号。
1400V/1700V系列：B3M010140Y、B3M020140H/ZL、B3M042140Z；B2M600170H/HH/R。
2. 混合 SiC 分立器件 (Si IGBT + SiC SBD)
采用碳化硅SBD替代传统硅基FRD作为续流二极管，充分释放IGBT电势，显著降低开关损耗，是6.6kW壁挂式充电桩与暖通空调的高性价比方案。
型号涵盖：BGH50N65HF1/HS1/ZF1、BGH75N65HF1/HS1/ZF1 (650V)；BGH40N120HS1、BGH75N120HF1 (1200V)。
3. SiC SBD 肖特基二极管 (400V - 2000V)
覆盖从400V到超高压2000V的全系列，显著缩小磁性元件尺寸并降低EMI。
型号涵盖：从400V的B3D120040HC，到650V的B3D04065至B3D80065系列，1200V的B3D03120至B3D80120系列，以及高达1400V/2000V的 B3D30140H、B3D40200H 等，支持TO-220、TO-247、TO-252、SOT-227等全面封装。
三、 青铜剑科技驱动方案：SiC 器件的“最强安全卫士”
SiC MOSFET拥有极快的dv/dt开关速度，但也带来了严峻的米勒效应（Miller Effect）导致的误导通风险。作为青铜剑科技的一级代理商，我们深知米勒钳位（Miller Clamp）与两电平关断保护（2LTO）对于系统长期可靠性的决定性意义。
1. 模块即插即用（Plug & Play）驱动板系列
直接焊接或压接于SiC模块上，完美适配中大功率及高频应用：
2CD0210T12x0 系列：专为125kW SST及E2B模块设计，单通道2W/10A，集成米勒钳位与原副边UVLO，支持15V定压（A0版）或16-30V宽压（C0版）输入。
2CP0225Txx & 2CP0425Txx 系列：专为1700V及以下ED3模块打造，高达2W或4W单通道功率，惊人的25A峰值电流。全面集成有源钳位、米勒钳位、VDS短路保护与软关断功能。
2. 自研**驱动 IC 与关键元器件
针对希望自主设计驱动板的研发工程师，我们提供BSRD系列参考设计（如BSRD-2427、BSRD-2503、BSRD-2423-ES01）及核心元器件。
隔离驱动芯片 BTD5350Mx 系列：专为SiC设计，输出峰值电流达10A，带米勒钳位引脚，包含 BTD5350MCWR（SOW-8宽体）、BTD5350M/S/E 等型号。
创新双通道驱动 BTD25350x：绝缘电压达5000Vrms，带使能禁用（DIS）与死区设置（DT），爬电距离>8.5mm，是高频APF与服务器图腾柱PFC的理想选择。
正激 DC-DC 电源芯片 BTP1521x：输出功率高达6W (BTP1521F/DFN8, BTP1521P/SOP-8)，无缝配合TR-P15DS23-EE13 双通道隔离变压器，为副边提供精准且隔离的正负驱动电压。
携手武汉恒德，加速您的产品迭代
无论是构建125kW的ANPC+DAB交直流转换器、150kW级中移动数据中心UPS、重型卡车充电系统，还是挑战盛弘、英博、特变电工等行业巨头正在布局的光储充及SST前沿架构，武汉恒德新能源有限公司都将以原厂级的技术支持、翔实的PLECS仿真数据支撑以及可靠的供应链保障，成为您研发道路上最坚实的后盾。
欢迎广大电力电子研发工程师与我们联系，索取详细的数据手册、应用指南及免费测试样片。让我们共同见证碳化硅全面替代的“必然”未来！ |
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